的矛盾。 即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的额定结温、额定电流
2023-02-27 11:52
方向N沟道，由S极指向D极。P沟道，由D极指向S极。如果觉得上面两条不是很好记，教大家一个识别方法：不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的，上面图片已经标出来了可以看一下。MOS管导通条件N沟道：Ug>Us时
2023-02-10 16:27
中有直线性，因此可除以系数，根据VGS(th)的变化量计算温度上升。关键要点:・使MOSFET导通的电压称为“栅极阈值”。・VGS恒定的话，ID会随温度上升而増加，因此有些条件需要注意。・可根据VGS(th)的变化，
2018-11-28 14:28
由运放构成的恒流源电路，利于NI模拟工具模拟在没有输入的条件下，MOSFET一直处于微导通状态下，这个是什么问题，有没有大神帮忙解答一下，谢谢。
2019-02-13 16:34
和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；2. 当2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15
从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。而Si-MOSFET在150°C时导通电阻上升为室温条件下的2倍以上，与Si-
2019-04-09 04:58
人问，这种“MOSFET导通”的状态，到底是“电流ID是多少的状态呢？”。的确，ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看，只要条件没有确定，就无法保证VGS(th)的值，因此在
2019-05-02 09:41
什么是PMOS管？PMOS管有哪些特性？PMOS管有什么导通条件？
2021-06-16 08:07
从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。而Si-MOSFET在150°C时导通电阻上升为室温条件下的2倍以上，与Si-
2019-05-07 06:21
温度依赖性。下面是实测例。下一篇计划介绍ID-VGS特性。关键要点:・MOSFET的开关特性参数提供导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间。・开关特性受测量条件和测量电路的影响较大，因此一般确认提供
2018-11-28 14:29
