第二代碳化硅MOSFET系列器件,比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度,更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
利用源表SMU可以灵活的进行电阻测量 I-V测试是对待测器件(DUT)施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应。根据待测器件(DUT
2024-06-06 15:43 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号
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2022-11-28 15:09 Aigtek安泰电子 企业号