MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联
2023-02-27 11:52
，温度降低，从而实现自动的均流达到平衡，这也是功率MOSFET相对于晶体管最具有优势的一个特性。同样对于一个功率MOSFET器件的内部也是有许多小晶胞并联而成，晶胞的
2016-09-26 15:28
、关断延迟时间：：Td(off）、下降时间：tf。下面是从以低导通电阻和高速开关为特征的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技术规格中摘录的内容。这些参数的名称和符号，各厂家间可能
2018-11-28 14:29
”这个参数的影响。下面以“升降压转换器的传递函数导出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降压转换器为基础，按照同样步骤来推导。右侧电路图在上次给出的升降压转换器简图上标出了作为开关的MOSFET的导通电阻
2018-11-30 11:48
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。电气特性定义及使用说明 功率
2024-06-11 15:19
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结
2018-12-05 10:00
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电阻
2023-04-11 15:29
，SiC-MOSFET在25℃时的变动很小，在25℃环境下特性相近的产品，差距变大，温度增高时SiC MOSFET的导
2018-12-03 14:29
界限值电压变化，能够计算元件的通道温度。图1: ID-VGS特性图2: 界限值温度特性数字晶体管的原理导
2019-04-10 06:20
，Hybrid MOS具备全能型特性。与SJ MOSFET 相比，Hybrid MOS在高温下的工作得到显著改善。另外，还能够在更大电流下工作。这与前面提到的导通电阻的
2018-11-28 14:25
