的矛盾。 即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的
2023-02-27 11:52
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-
2019-04-09 04:58
度的漂移层实现高耐压。 因此，在相同的耐压值情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。 例
2023-02-07 16:40
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-
2019-05-07 06:21
比如3205的NMOS的Vgs门槛电压是min 2v-----max4v的范围。我不太理解，究竟是最小工作电压是2V，满负荷工作电压是4V呢，还是说因为工艺问题，某些管子的导
2019-05-28 01:46
器件相比，具有更低的导通电阻和更高的电压耐受能力。（图片来源：ROHM Semiconductor）标准硅 MOSFET
2017-12-18 13:58
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的
2018-11-30 11:34
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29
%。特性方面的定位是标准特性。低噪声SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“导通电阻低，开关速度快”的特征，
2018-12-03 14:27
导通电压是否为Vgs?附件有规格书，查看下，谢谢！
2017-05-10 10:30
