如图电路：问题点如下： 1，DAC的输出直接连接在OPA2333的同相端 Pin3，如果不让MOSFET导通前，这端的电压测量是正确的，如输出590mV，测量的话为
2024-09-03 06:16
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
上面原理图是 用51单片机控制mosfet（NPN）开关的单相全波整流电路，整流桥采用的是IN4007二极管。焊接完毕后变压器上电，mosfet始终处于导通状态，无论单片机输出什么信号，即便是把
2019-01-23 11:17
为了保证Kelvin阻值测量的精度，需要考虑哪几项重要的因素？精确测量功率MOSFET的导通电阻解析
2021-04-14 06:06
Arduino引脚为低电平时，MOSFET保持导通状态。如果后面的系统没有剩余电源（这里与电路无关），这是为Arduino本身提供电流。由于这个限制，这样的电路： 当arduino输入为低电平时，将
2018-08-23 10:30
和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；2. 当2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15
电路设计如图；问题：MOSFET测量栅极有开启电压+3.6V，漏极电压+12V，但是源极电压测量为+1V;分析：有可能是MOSFET坏了，除了这个可能性，不清楚是不是设
2019-09-11 14:32
本文从精简结构，同时兼顾精度的角度出发，提出一种基于时间测量芯片TDC-GP2来精确测量IGBT导通延迟时间系统，用于测量IGBT的
2021-05-14 06:07
设计了一款用lm5106芯片恒功率充电电路，但板子上电后LM5106的HO引脚就直接有2.7V左右的电压。导致电路后面的高侧MOSFET直接导通。请问这是什么原因？
2020-07-22 17:29
MOSFET几乎立即完全导通，而相比之下，IGBT显示出明显的斜率。这导致Eon能量损失大幅下降。在相同的实验室条件下操作快速开关IGBT和东芝TW070J120B SiC MOSFET表明，SiC
2023-02-22 16:34
