MOSFET主要是N沟道增强型。 功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体
2023-02-27 11:52
和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；2. 当2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15
温度依赖性。下面是实测例。下一篇计划介绍ID-VGS特性。关键要点:・MOSFET的开关特性参数提供导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间。・开关特性受测量条件和测量
2018-11-28 14:29
上面原理图是 用51单片机控制mosfet（NPN）开关的单相全波整流电路，整流桥采用的是IN4007二极管。焊接完毕后变压器上电，mosfet始终处于导通状态，无论单片机输出什么信号，即便是把
2019-01-23 11:17
Arduino引脚为低电平时，MOSFET保持导通状态。如果后面的系统没有剩余电源（这里与电路无关），这是为Arduino本身提供电流。由于这个限制，这样的电路： 当arduino输入为低电平时，将
2018-08-23 10:30
菜鸟没有做过实际东西，最近有个想法，但仿真时发现Vs小于0时，虽Vds大于0，但MOSFET不受栅极控制，为什么会这样？有什么方法解决吗？希望各位说说自己的看法，感激不尽
2015-11-30 22:55
MOSFET的导通电阻以及测量的条件，如AON6590，VDS=40V，分别列出了VGS=10V、VGS=4.5V的RDS(ON)，如下图所示。测量的条件：ID = 2
2016-09-26 15:28
如图电路：问题点如下： 1，DAC的输出直接连接在OPA2333的同相端 Pin3，如果不让MOSFET导通前，这端的电压测量是正确的，如输出590mV，测量的话为
2024-09-03 06:16
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开
2018-11-30 11:34
讲解人：鲁肃老师（张飞电子学院高级工程师）我们现在知道了，只要让MOSFET有一个导通的阈值电压，那么这个MOSFET就导通了。那么在我们当前的这个电路中，假设GS电容
2021-05-07 10:11
