MOSFET主要是N沟道增强型。 功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体
2023-02-27 11:52
和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；2. 当2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15
方向N沟道，由S极指向D极。P沟道，由D极指向S极。如果觉得上面两条不是很好记，教大家一个识别方法：不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的，上面图片已经标出来了可以看一下。MO
2023-02-10 16:27
上面原理图是 用51单片机控制mosfet（NPN）开关的单相全波整流电路，整流桥采用的是IN4007二极管。焊接完毕后变压器上电，mosfet始终处于导通状态，无论单片机输出什么信号，即便是把
2019-01-23 11:17
Arduino引脚为低电平时，MOSFET保持导通状态。如果后面的系统没有剩余电源（这里与电路无关），这是为Arduino本身提供电流。由于这个限制，这样的电路： 当arduino输入为低电平时，将
2018-08-23 10:30
菜鸟没有做过实际东西，最近有个想法，但仿真时发现Vs小于0时，虽Vds大于0，但MOSFET不受栅极控制，为什么会这样？有什么方法解决吗？希望各位说说自己的看法，感激不尽
2015-11-30 22:55
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开
2018-11-30 11:34
请问三极管必须使其导通电流方向，和发射极方向一样吗？
2016-11-09 15:17
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58
