和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地
2021-10-29 08:43
的矛盾。 即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET 的额定结温、额定电流
2023-02-27 11:52
时刻并不一样，因此开通时刻和关断时刻的米勒平台电压VGP也不一样，要分别根据各自的电流和跨导计算实际的米勒平台电压。（2）模式M2：t6-t7在t6时刻，功率MOSFET进入关
2017-03-06 15:19
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 14:28 编辑 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，请问这种特性需要在什么条件才能转化?
2011-11-14 13:48
温度依赖性。下面是实测例。下一篇计划介绍ID-VGS特性。关键要点:・MOSFET的开关特性参数提供导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间。・开关特性受测量条件
2018-11-28 14:29
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压形成，Vgs与Id成比例(未完全导通)。当mosfet完全
2018-10-24 14:55
【不懂就问】在单端反激电路中常见的一部分电路就是RCD组成的吸收电路，或者钳位电路，与变压器原边并联其目的是吸收MOSFET在关断时，引起的突波，尖峰电压电流到那时MOSFET是压控器件，为什么在
2018-07-10 10:03
VGS(th)，值在3V～5V之间。顺便提一下，不仅局限于MOSFET，相对于输入，输出和功能的导通/关断等某种状态改变的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示
2018-11-28 14:28
开关管由关断到导通时的功耗测试 由关断到导通的时间Ton-fall(nS) 47 (测量电压波形的下降时间,单位ns) 由关断
2011-06-10 10:18
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58
