IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种电力电子器件，广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器等领域。IGBT的导通压降（Vce(sat)）是指在IGBT导通状态下，集电极（
2024-09-19 14:51
本文将聚焦“低压降”的含义，并介绍安森美半导体低压降和极低压降值的LDO产品和方案。您的应用需要低压降的LDO吗？我们将讲解压降的含义，如何测量以及具有标准
2020-11-23 09:27
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54
在设计阶段进行电源完整性仿真分析，包括电源DC压降仿真、AC频域仿真、时域瞬态噪声仿真、电热仿真，以规避PCB设计中的电源风险。 本文介绍了采用芯和半导体HermesPSI软件进行电源DC压
2022-02-28 10:50
利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源极VGS波形如下图所示。图中用圆圈突出显示的部分
2018-03-30 16:21
的CS脚为电流检测脚，输出短路时，充放电控制MOSFET的导通压降剧增，CS脚电压迅速升高，DW01输出信号使充放电控制MOSF
2018-01-02 09:59
硅二极管的正向压降是指在二极管导通时，其两端的电压差。这个值对于硅二极管来说通常在0.6V到0.7V之间，但这个值会受到温度、电流和制造工艺等因素的影响。 半导体物理基础 要理解硅二极管的正向
2024-10-14 15:48
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
2018-08-31 09:36
本文中基于 QC/T 29106-2014 标准，提出了新的耐久特性测试和触点压降测试方法，并针对这2种测试方法进行试验验证。以下为正文。
2023-09-14 10:00
