绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种电力电子器件，它结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性。在电力电子领域，IGBT广泛应用于变频器、电动汽车、太阳
2024-09-19 14:46
IGBT的驱动电压一般都是15V，而SiC MOSFET的推荐驱动电压各品牌并不一致，15V、18V、20V都有厂家在用。更高的门极驱动电压有助于降低器件导通损耗，SiC MOSFET的
2024-05-13 16:10
的差异。最高波长的偏差带通常为±10%。 如图2-5所示为LED正向导通压降与颜色和电流的关系曲线。在导通起始点，红光LED的导通电压
2014-08-18 14:22
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种电力电子器件，广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器等领域。IGBT的导通压降（Vce(sat)）是指在IGBT导通状态下，集电极（
2024-09-19 14:51
如图所示，现在的问题是IGBT的门极给的是15V驱动电压，Vce=27V,为什么导通之后负载对地的电压只有9.7V，在IGBT上的压降很大，怎么才能解决这个问题
2016-10-16 17:07
三极管的基本开关电路在深度饱和时，基极电流IBS式子中为什么饱和导通压降和饱和导通内阻都有？难道饱和导通
2023-04-12 11:51
IGBT发现其导通，都是1.3-1.4V左右，怀疑是IGBT击穿导致；但是下午拆下IGBT测量又没有问题，正向压降无穷大，不知道是什么原因，IGBT用的是FF英飞凌600A1200V双管集成的，三个为一相
2024-02-18 19:52
在电子学中，饱和管压降（saturation voltage drop）和导通电压（turn-on voltage）是两个重要的概念，它们描述了半导体器件，特别是晶体管和二极管在特定工作状态下的电压
2024-09-19 14:47
恒流源、恒压源、MOS导通之后的压降一、这是一款很经典的恒流电路，负载电流只收运放同相输入端VIN的控制。需要恒流多少，只需要控制VIN的值即可。如果想要负载端的电压是恒定（输出想要的值）的，大家
2022-09-30 17:12
的MOSFET从跨导的定义来说，由于ID不再增加，因此被定义为饱和区，但为什么又叫做放大区呢？问题分析：（1）可变电阻区表明MOSFET在一定的VGS电压下沟道已经完全导
2016-12-21 11:39
