是因为N沟道的RDS(on)小于P沟道的，并且通过在栅极上施加正电压导通。MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET
2021-04-09 09:20
MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P
2018-03-03 13:58
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极
2023-02-02 16:26
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在
2018-03-09 14:28
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00
：它是电压控制器件具有高输入阻抗值在P沟道中，沟道的导电性是由于栅极端的负极性。与N沟道相比，P沟道
2022-09-27 08:00
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件，具有高输入阻抗、低驱动功率和良好的线性特性等优点。根据导电沟道的形成方式，MOSFET
2024-07-14 11:32
;gt;N沟道MOSFET有三个电极，分别是源极S、漏极D和栅极G。当VGS=0时，漏、源极之间无原始导电沟道，ID=0；当VGS>0但是比较小时
2010-08-17 09:21
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选
2021-03-02 08:40
由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道
2022-11-18 11:28
