MOSFET和IGBT的对比 MOSFET工作原理 MOSFET （metal Oxide Semiconductor
2023-02-22 13:56
的开关速度更快，更适合高频工作场合。谐振型开关电源一般都采用MOSFET。本节分析对比了IGBT和MOSFET的开关损耗产生机理，为LLC谐振变换器工作区域的确定提供了
2020-04-08 08:00
在高负载时保持了与IGBT同等的效率。这是空调的例子，这款Hybrid MOS的特征在其他很多设备中也同样表现非凡。对比使用现有IGBT的应用以及使用SJ MOSFET
2018-11-28 14:25
`1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大，可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2. IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前
2018-08-27 20:50
MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强,IXY
2025-03-25 13:43
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2021-04-13 08:47
本帖最后由 24不可说 于 2018-10-10 08:23 编辑 MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上
2017-04-15 15:48
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-I
2018-12-03 14:29
MOSFET和IGBT内部结构不同,于是也决定了其应用领域的不同，今天就让小编带大家一起来了解一下MOSFET与IGBT的本质区别吧~1、由于
2021-06-16 09:21
