`磁芯对电感寄生电容的影响`
2012-08-13 15:11
`磁芯对电感寄生电容的影响`
2012-08-14 09:49
电流直接泵送至电源线。2. 查看电源中的寄生电容。我们都记得物理课上讲过，两个导体之间的电容与导体表面积成正比，与二者之间的距离成反比。查看电路中的每个节点，并特别注意具有高 dV/dt 的节点。想想
2022-11-22 07:29
感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保
2018-07-18 10:09
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终
2022-11-16 08:00
Time-domain reflectometry (TDR) is commonly used as a convenient method of determining the characteristic impedance of a transmission line or quantifiying reflections caused by discontinuities along or at the termination of a transmission line. TDR can also be used to measure quantities such as the input capacitiance of a voltage probe, the inductance of a jumper wire, the end-to-end capacitance of a resistor, or the effective loading of a PCI card.
2018-10-08 11:40
电容器的寄生作用与杂散电容
2012-08-14 11:29
和反向恢复电荷（Qrr）的函数。栅极驱动损耗由MOSFET的栅电荷（Qg）决定。因此,寄生电容和导通电阻（RDS(on)）决定了器件在特定应用中的性能。在现今的低压MOSFET中最普遍使用的技术
2012-12-06 14:32
的寄生电容，如图 1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡
2017-01-09 18:00
产生效果相反的两种反馈电压，分别控制 MOSFET 栅源电压的上升和下降时间，因此降低功率回路中的 di/dt。然而，这样通常会增加开关损耗，因此并非理想方法 [8]，[9]。功率级寄生电容公式 1
2020-11-03 07:54
