`磁芯对电感寄生电容的影响`
2012-08-13 15:11
`磁芯对电感寄生电容的影响`
2012-08-14 09:49
大部分传导 EMI 问题都是由共模噪声引起的。而且，大部分共模噪声问题都是由电源中的寄生电容导致的。对于该讨论主题的第 1 部分，我们着重讨论当寄生电容直接耦合到电源输入电线时会发生的情况1. 只需
2022-11-22 07:29
感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容
2018-07-18 10:09
Time-domain reflectometry (TDR) is commonly used as a convenient method of determining the characteristic impedance of a transmission line or quantifiying reflections caused by discontinuities along or at the termination of a transmission line. TDR can also be used to measure quantities such as the input capacitiance of a voltage probe, the inductance of a jumper wire, the end-to-end capacitance of a resistor, or the effective loading of a PCI card.
2018-10-08 11:40
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄
2022-11-16 08:00
电容器的寄生作用与杂散电容
2012-08-14 11:29
和反向恢复电荷（Qrr）的函数。栅极驱动损耗由MOSFET的栅电荷（Qg）决定。因此,寄生电容和导通电阻（RDS(on)）决定了器件在特定应用中的性能。在现今的低压MOSFET中最普遍使用的技术
2012-12-06 14:32
，即使把图 1中Rg减小，也不能解决问题！ IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。2、电源IC驱动能力不足时如果选择MOS管寄生电容
2017-01-09 18:00
产生效果相反的两种反馈电压，分别控制 MOSFET 栅源电压的上升和下降时间，因此降低功率回路中的 di/dt。然而，这样通常会增加开关损耗，因此并非理想方法 [8]，[9]。功率级寄生电容公式 1
2020-11-03 07:54
