1. 真实的半导体开关器件都有寄生的并联电阻，实际上来源于导致泄露损耗的漏电流通路模型。器件的正向压降一定意义上也可看作导致导通损耗的串联寄生电阻所产生。2. MOSFET的寄
2021-10-28 08:17
`国外MOSFET管子参数对照手册`
2012-10-10 10:32
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键
2023-06-16 06:04
，不过设计人员在根据这些参数比较不同的FET时要小心，这是因为测试条件决定一切，事情往往是如此！图1显示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的两个不同di/dt速率上测得的输出电荷
2022-11-18 08:05
来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。MOSFET的主要特性参数 “MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写
2016-05-23 11:40
寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。当电源IC与MOS管选定之后， 选择合适的驱动电路来
2017-01-09 18:00
矛盾的参数，为了减小导通电阻，就必须增加硅片面积；硅片面积增加，寄生的电容也要增加，因此对于一定的面积硅片，只有采用新的工艺技术，才能减小的寄生的电容。通常功率MOSFET
2016-10-10 10:58
的设计方案。 更细致的， MOSFET 还应考虑本身寄生的参数。 对一个确定的 MOSFET， 其驱动电路， 驱动脚输
2022-01-03 06:34
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄
2022-11-16 08:00
较高的高频电流，特别是在 MOSFET 开关期间。图 2：降压功率级和栅极驱动器的“剖析原理图”（包含感性和容性寄生元素）。有效高频电源回路电感 (LLOOP) 是总漏极电感 (LD)、共源电感 (LS)（即
2020-11-03 07:54
