的差异相互扩散，也会在PN结的两侧产生电荷存储效应，这些因素作用在一起，在任何半导体功率器件内部，就会产生相应的寄生电容。MOSFET的寄生电容是动态参数，直接影响到其
2016-12-23 14:34
了具备MOSFET寄生参数和电路板寄生参数的标准通孔封装传统的TO247（即：电源电流路径和驱动电流路径是相同的）。第三
2018-10-08 15:19
，基于 Si-IGBT 设计的缓冲吸收电路参数并不适用于 SiC-MOSFET 的应用场合。为了使本研究不失一般性，本文从基于半桥结构的 SiC-MOSFET 电路出发，推导出关断尖峰电压和系统
2025-04-23 11:25
感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生
2018-07-13 09:48
MOSFET的工作波形。由于感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSF
2018-11-21 15:52
以及漏极源极电容。这些电容不能直接测量到，它们是通过测量输入、输出和反向传输电容等参数然后计算得到。这三类寄生电容之间的关系如下：10. 反向二极管特性MOSFET都有一个寄生
2018-07-12 11:34
1. 真实的半导体开关器件都有寄生的并联电阻，实际上来源于导致泄露损耗的漏电流通路模型。器件的正向压降一定意义上也可看作导致导通损耗的串联寄生电阻所产生。2. MOSFET的寄
2021-10-28 08:17
MOSFET简介MOSFET的一些主要参数MOSFET的驱动技术
2021-03-04 06:43
最后，我们来到了这个试图破解功率MOSFET数据表的“看懂MOSFET数据表”博客系列的收尾部分。在这个博客中，我们将花时间看一看MOSFET数据表中出现的某些其它混合开关参数
2018-09-05 09:59
什么是MOSFET管？由哪几部分组成？MOSFET的主要参数是什么？如何选型？
2022-02-23 06:57
