最近分析了Mosfet的寄生参数，其中Eoss是一个非常重要的参数。
2023-03-08 15:03
1. 真实的半导体开关器件都有寄生的并联电阻，实际上来源于导致泄露损耗的漏电流通路模型。器件的正向压降一定意义上也可看作导致导通损耗的串联寄生电阻所产生。2. MOSFET的寄
2021-10-28 08:17
了具备MOSFET寄生参数和电路板寄生参数的标准通孔封装传统的TO247（即：电源电流路径和驱动电流路径是相同的）。第三
2018-10-08 15:19
通过对商用计算机 CPU 供电电路功率管耐压 30V MOSFET 的寄生参数的研究和试验，设计了一个 250kHz 开关频率下的自举推挽驱动电路和门极快速放电回路。推挽电路阻抗小，类恒流源性质，
2011-09-14 16:12
的等效电路就成了图 2 的样子了。但是，我们从MOSFET 的数据手册中一般看不到这三个参数，手册给出的参数一般是 CISS、COSS和CRSS（见图 1 ）， 图 1 某数据手册关于
2021-01-08 14:19
的差异相互扩散，也会在PN结的两侧产生电荷存储效应，这些因素作用在一起，在任何半导体功率器件内部，就会产生相应的寄生电容。MOSFET的寄生电容是动态参数，直接影响到其
2016-12-23 14:34
，因此，下管的寄生二极管在死区时间内具有导通损耗，同时具有二级管的反向恢复损耗。 功率MOSFET的寄生参数模型如图1所示，其中，G、D、S分别为封装好的器件外部的栅
2020-12-08 15:35
继前篇的Si晶体管的分类与特征、基本特性之后，本篇就作为功率开关被广为应用的Si-MOSFET的特性作补充说明。MOSFET的寄生电容：MOSFET在结构上存在下图所示
2023-02-09 10:19
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22
