BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
控制器的简单示意图，通过PWM信号控制电机负极功率MOSFET管的通断，调节控制板输出的PWM信号的脉冲宽度的占空比的大小，可以实现对电机转速的控制，PWM信号的开
2023-02-10 10:11 深圳市韬略科技有限公司 企业号
使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右，一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT，劣势是器件多，硬件设计复杂，效率低，失效率
2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
Profinet网关的gsd所在文件夹（注意不是选择文件，选择文件夹后会出现在选择框内）本例为桌面；3、选择对应的CanOpen转Profinet网关网关进行组态；4、设置C
2023-10-08 11:28 北京开疆智能技术有限公司 企业号
要求。 本文推荐基本半导体第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z用于工业电源，可以替代英飞凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N
2023-06-17 10:59 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
