相比于晶体管，MOSFET这个管子相对来说比较复杂，它的工作过程理解起来还是有一定难度的。那么这其中最难以理解的部分，可能还是MOS管开关损耗的理解。相比导通损耗和续流
2021-11-16 16:39
根据沟道中电荷的分布特点得出了I_D随V_GS和V_DS的变化的公式，进而得到了伏安特性曲线。
2023-02-16 11:37
它们对饱和区的定义有一些差别。 首先，让我们从基本原理开始理解饱和区。在晶体管中，饱和区是电流最大的区域，通常被用来实现开关操作。晶体管在饱和
2024-02-18 14:35
具有更高的电压和电流承受能力。功率MOSFET的工作区域主要包括截止区、饱和区、线性区和击穿区。 截止
2024-07-11 15:12
MOSFET-MOS管特性参数的理解
2022-12-09 09:12
理解MOSFET数据手册中的雪崩能量等级
2018-08-16 01:54
理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性 通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的
2009-11-10 10:53
电力MOSFET的反向电阻工作区 电力MOSFET在很多电子设备中都有广泛的应用，例如电源、驱动电路、LED控制等。MOSFET是一种基于场效应管的晶体管，其主要功能是
2023-10-26 11:38
基本上就是这样理解的。无论 MOSFET 功率开关处于集成状态或外置状态，它们的根本性质并不会发生变化，所以并不需要对它们进行区别对待，而驱动它们的原理当然也是完全一样的。 要想驱动 MOSFET，首先需要对
2021-02-01 16:15
理解功率MOSFET的开关损耗 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并
2009-10-25 15:30
