在模拟电路中，虚短和虚断是两个重要的概念，它们通常与运放电路有关。这两个术语描述了运放电路中的一些重要现象，认识它们对于电子工程师和电路设计师来说至关重要。本文将深入探讨虚短和虚断的含义，以及它们在
2024-01-26 08:20 亿佰特物联网应用专家 企业号
每个 MOSFET 数据手册都包含一个 SOA 图，该图描述了 MOSFET 暴露于特定电压和电流的最长时间。图1显示了恩智浦半导体数据手册中PSMN1R5-30BLE 30V 1.5mΩ N沟道
2023-01-04 15:08
三极管有截止区、放大区和饱和导通三个工作区。把三极管控制在截止区和饱和导通区就可以实现通断控制了。
2019-10-13 14:18
本文介绍了MOSFET的物理实现和操作理论。MOSFET由NMOS和PMOS构成，有截止区、线性区和饱和区。图示了NMO
2023-11-15 09:30
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状
2022-04-19 10:28
可从在线和诊断视图中“诊断”文件夹的“诊断缓冲区”组中读出 CPU 的诊断缓冲区。
2023-12-11 10:24
保险丝夹指安装保险丝的夹子，其一般可分为：电流保险丝夹和汽车保险丝夹，一般有镀镍、镀锡、镀银三种表面镀层。
2018-08-29 11:41
哪些因素会影响MOSFET放大器的Robust增加一个电阻，提高Robust增加一个电容。
2019-06-26 14:33
焊件及焊条的化学成分不当。当熔池内含氧（O2）、氮（N2）、锰（Mn）、硅（Si）等成分多时，形成夹渣的机会也多。
2019-10-25 10:05
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型体
2022-09-13 14:38
