/100R=120mA，这就是Igs最开始的充电电流。 那么，如果GS电容的电充满了，对于R2下拉电阻这条电路而言的电流就是12V/18K=0.67mA，是一个特别小的电流。通过分析，我们知道，Igs电流是和Vgs电压是反过来的。 还有朋友在实测时，发现Vds电压
2021-05-31 17:56
MOSFET的。1.我们首先拥有一个硅纯度高达99.9999999%的衬底。2.在硅晶衬底上生长一层氧化薄膜。3.均匀的旋涂上光刻胶。3.通过光掩膜进行光刻，把光掩膜板
2024-11-01 11:08
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32
电池供电的便携设备越来越多，在今日生活中扮演的角色也越来越重要。这个趋势还取决于高能量储存技术的发展，例如锂离子(Li-ion)电池和超级电容器。
2021-07-04 11:23
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
：四个SiC MOSFET的运作模式和作用模式一：降压(Buck)A-B选择模式一，电路做为降压器，即输出电压低于输入电压的转换器。这种电路也称为“step-down”
2021-07-13 07:30
示的表格：图2：四个SiC MOSFET的运作模式和作用模式一：降压(Buck)A-B选择模式一，电路做为降压器，即输出电压低于输入电压的转换器。这种电路也称为“ste
2022-04-15 14:51
如何测量一个直流电动机的电感，手上的原件有一个MOSFET（IRF740A），二极管，若干电阻电容电感，请问如何连接电路
2016-01-15 02:50
从终端应用中用于驱动的MOSFET来看，最主要的仍是用于电机控制的MOSFET。在此应用里，30V-100V的分立式MOSFET是一
2022-01-18 08:00
对高频的DC-DC转换器,功率MOSFET是一个关键的器件.快速的开关可以降低开关LOSS, 但是在MOS漏级上dv/dt也变得越来越高.然而,高的dv/dt可能导致在没有正常的门极触发信号时MOS开通,这样会
2009-11-28 11:25
