特性和控制方式，可以将其分为增强型和耗尽型两大类。这两种类型的MOS管在结构、工作原理、性能特点以及应用场景等方面都存在显著的差异。本文将对增强型和
2024-05-12 17:13
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，
2019-07-06 09:48
型MOSFET作为MOSFET的一种重要类型，在电子设计和工程领域中有着其独特的地位。本文将对耗尽型
2024-05-12 17:19
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
2020-10-02 17:42
ARK（方舟微）研发的UltraVt ®超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压70V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1
2023-11-18 16:00
场效应管FET（Field Effect Transistor），是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，分为结型（JFET）和绝缘栅型（MOSFET简称MOS）。
2023-11-17 16:26
CoolGaN和增强型GaN（通常指的是增强型高电子迁移率晶体管，即e-mode HEMT）在概念上有所重叠，但具体来说，它们之间的区别主要体现在以下几个方面： 一、定义与范畴 CoolGaN
2024-09-07 09:28
在上述电路中，无需使用其它DC-DC元件，仅使用一颗耗尽型MOSFET，即可将较高的电压转换为稳定的低电压给LDO输入端供电。LDO的输入电压Vin与输出电压VOUT的关系满足：Vin=VOUT+|Vth| (
2023-11-08 11:28
晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型
2023-11-07 14:51
ARK（方舟微）研发销售的MOS产品主要以N沟道-耗尽型MOSFET为主（包括具有自主知识产权的高阈值电压（UltraVt®）耗尽
2023-11-07 14:47
