在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14
前言电源的特性参数包括：输入电压范围输入冲击电流启动时间输出电压范围输出纹波和噪声功率效率负载调解率电压调解率维持时间过电流保护过电压保护欠压保护反向电压保护反向电流保护隔离电压等级解释： ...
2021-12-31 06:23
记得作者2002年做研发的时候，在热插拨的应用中就开始关注到这个问题，那时候很难找到相关的资料，最后在功率MOSFET的数据表中根据相关的图表找到导通电阻RDS(ON)的这个违背常理的特性，然后
2016-09-26 15:28
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1、MOS管种类和
2021-07-29 09:46
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1、MOS管种类和
2021-10-28 10:06
描述The TIDA-00364 TI Design provides a reference solution for 3-phase MOSFET based Inverter to drive
2018-10-26 10:36
与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等
2018-12-28 15:44
2021-09-04 11:09
MOSFET的热阻特性所以，连续漏极电流ID是基于硅片最大允许结温的计算值，不是一个真正的测量值，而且是基于TC=25℃的计算值。RqJC，TC，这里的C: Case，是裸露铜皮，不是塑料外壳，实际
2016-08-15 14:31
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15
