第二代碳化硅MOSFET系列器件,比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度,更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
方案差模共模均采用大通流压敏电阻串放电管泄放雷击、浪涌大电流,可以最大限度的延长压敏使用寿命;满足 IEC 61000-4-5 、GB/T 17626-2 雷击浪
2022-07-20 15:11 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
方案差模共模均采用大通流压敏电阻串放电管泄放雷击、浪涌大电流,可以最大限度的延长压敏使用寿命;满足 IEC 61000-4-5 、GB/T 17626-2 雷击浪
2022-07-20 15:06 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
利用源表SMU可以灵活的进行电阻测量 I-V测试是对待测器件(DUT)施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应。根据待测器件(DUT
2024-06-06 15:43 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号