关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中，MOSFET基本上被用作
2018-11-28 14:29
机械特性硬度是电机固有的吗，它和什么有关呢？和连接的负载有关系吗，调速时可以将其改变吗
2023-12-15 06:51
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性：在功率转换中，MOSFET基本上被用
2023-02-09 10:19
米勒平台的时间t3为： t3也可以用下面公式计算： 注意到了米勒平台后，漏极电流达到系统最大电流ID，就保持在电路决定的恒定最大值ID，漏极电压开始下降，MOSFET固有的转移
2025-02-26 14:41
转移特性曲线：固定VDS值，MOS晶体管的源漏电流IDS随栅源电压VGS的变化曲线。
2023-12-01 14:15
碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET
2025-02-02 13:48
没有问题。但是，当深入理解功率MOSFET的转移特性和温度对其转移特性的影响，就会发现，功率
2016-09-26 15:28
