PESD1CAN，NUP2105LT1G DCSM24C ESD Protection Diodes | NUP3105L CAN总线电路保护器件PESD1CAN
2025-03-03 13:26 常州鼎先电子有限公司 企业号
使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右，一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT，劣势是器件多，硬件设计复杂，效率低，失效率
2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
MOSFET功率器件具有高频高效的特点，在OBC上使用碳化硅功率器件对于提升OBC的效率和功率密度有较大帮助。OBC车载充电机一般为两级电路，前级为PFC级，即功率因数
2023-08-17 10:07 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
器件在使用过程中最常见的失效模式之一就是电浪涌引起的电过载（EOS)损伤或烧毁。下面简聊下集成电路电浪涌的产生和预防。1. 什么是电浪涌（电过载EOS）
2022-07-29 10:33 陕西航晶微电子有限公司 企业号
（典型值），采用SOW-18（宽体）封装， 高达5000Vrms的隔离电压，适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
电动汽车空调压缩机是热泵空调系统的核心，合适的功率器件可以提高其控制器的工作效率，从而可以提高整个系统的效率。传统的1200V硅IGBT方案开关损耗较大，散热问题严重，若采用碳化硅MOSFET方案
2023-08-09 10:12 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
半导体器件 semiconductor device 通常利用不同的半导体材料, 采用不同的工艺和几何结构, 已研制出种类繁多, 功能用途各异的多种晶体二极管, 晶体二极管的频率覆盖范围可从
2022-08-09 16:02 伯东企业（上海）有限公司 企业号
