华虹NEC掌握了拥有自主知识产权的深沟槽型大功率MOS器件工艺和超级结高压大功率MOSFET器件工艺，正在进行IGBT技
2011-12-07 09:07
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电子工业中的核心元件之一，其参数与工艺对于电路的性能、效率及可靠性具有至关重要的影响。以下将从MOSFET的主要参数、不同工
2024-07-24 16:31
（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的
2023-06-17 14:24
的功率密度和工作频率。Trench MOSFET采用腐蚀挖沟槽的方法将平面型VD-MOSFET的“T”字形导电通路缩短为两条平行的垂直型导电通路，起到了去除两相邻PN结间的JFET电阻作用，从而减小了器件的导通电阻；
2021-10-15 14:29
上海雷卯电子有Trench工艺和平面工艺MOSFET，为什么有时候推荐平面工艺MOSFET呢，有时候推荐用Trench
2023-09-27 09:27
本文通过图文并茂的方式生动展示了MOSFET晶体管的工艺制造流程，并阐述了芯片的制造原理。 MOSFET的工艺流程 芯片制造
2024-11-24 09:13
GaN MOSFET（氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新型的功率器件，具有高功率密度、高效率和快速开关速度等优点。与传统的硅基MOSFET相比，GaN MOSFET
2024-07-14 11:39
工艺上有各自的看家本领。本期将视线转回国内，从国内的MOSFET主流玩家的产品实力来看看国产MOSFET器件竞争力如何。 半导体
2021-10-22 17:15
功率器件MOSFET的物理开盖手法
2022-07-05 16:14
电源设计小贴士42：可替代集成MOSFET的分立器件
2018-08-16 00:08
