场效应晶体管(IGFET)。MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写，平面型器件结构，按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件
2012-12-10 21:37
` 谁来阐述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
场效应晶体管(IGFET)。MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写，平面型器件结构，按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件
2012-01-06 22:55
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21
通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。 SiC器件漂移层的阻抗
2023-02-07 16:40
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05
阈值电压稳定性以及工艺增强和筛选，以确保可靠的栅极氧化物和完成器件认证。从本质上讲，SiC社区越来越接近寻找圣杯。 今天的MOSFET质量 在过去两年中，市售的1200 V SiC
2023-02-27 13:48
半导体器件与工艺
2012-08-20 08:39
消除二极管整流器件正向压降来大幅降低功率损耗。N沟道MOSFET具有小RDSON，并且它们相关的压降也是最小的。表1中是一个5A (I_rms = 3.5A) 二极管整流器与一个10m
2018-05-30 10:01
