给最终客户。此外，与100毫米晶圆相比，150毫米晶圆上的制造产生的器件数量增加了一倍以上，这极大地影响了每个裸片的成本。价格的一些迹象如图7所示，基于Digi-Key商用SiC MOSFET的调查
2023-02-27 13:48
` 谁来阐述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21
通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。 SiC器件漂移层的阻抗
2023-02-07 16:40
消除二极管整流器件正向压降来大幅降低功率损耗。N沟道MOSFET具有小RDSON，并且它们相关的压降也是最小的。表1中是一个5A (I_rms = 3.5A) 二极管整流器与一个10m
2018-05-30 10:01
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉
2020-04-24 18:09
半导体器件。上次从IGBT的名称入手，搞清楚了IGBT栅极和双极性所包含的背后意义。这次我们从IGBT的定义出发，来看看为什么说IGBT是由BJT和MOSFET组成的器件？它们之间有什么区别和联系？在
2023-02-10 15:33
的“热点”特性！这种自冷却机制的同等重要的结果是便于并联 MOSFET 以提升某种器件的电流性能。双极型三极管对于并联非常敏感，要采取预防措施以平分电流(发射极稳定电阻、快速响应电流感应反馈环路
2025-06-03 15:39
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05
