1、首先看一个普通SOT-23封装mos管的开关参数Qg表示MOS管开关
2021-10-29 08:10
MOSFET(MOS管)中的“开关”时间可以改变电压吗？
2023-05-16 14:26
，发热也会增大，极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。1.
2019-07-03 07:00
，发热也会增大，极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。1.
2019-07-05 08:00
，发热也会增大，极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。下面我们先来了解一下MOS管开关的基础知识。1.
2019-07-05 07:30
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:46 编辑 MOS管上有等效电容的存在，所以开关时间比三极管长，三极管
2012-07-09 17:13
寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。当电源IC与MOS
2017-01-09 18:00
一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如果不考虑纹波和EMI等要求的话， MOS
2021-11-12 08:20
一、MOS管选型注重的参数1、负载电流IL --它直接决定于MOSFET的输出能力；2、输入-输出电压–它受MOSFET负载占空比能力限制；3、
2021-11-16 09:06
，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。 选择MOS
2020-07-19 07:33
