我们知道MOSFET的开关速度相对于三极管已经有相当大的改善，可以达到数百K，甚至上M；但我们想想，当我们需要MOSFET有
2010-12-23 11:23
理解IGBT与MOSFET的性能差异，会帮助工程师在功率需求、开关速度、成本考虑以及特定应用的适性等多个因素之间做出折衷并选择最合适的元件。这将使得工程师们能够在满足性
2023-11-23 13:55 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关
2023-05-18 09:51
东芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET
2012-03-16 13:43
MOSFET与IGBT的区别
2023-11-27 15:36
IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于
2017-12-11 18:46
它们对饱和区的定义有一些差别。 首先，让我们从基本原理开始理解饱和区。在晶体管中，饱和区是电流最大的区域，通常被用来实现开关操作。晶体管在饱和区工作时，处于最低的电压状态，导通电流较大。然而，饱和区的定义在IGBT和MOSF
2024-02-18 14:35
生活中有各种各样的电源，其中就有一款叫高频开关电源系统，什么是高频开关电源系统？它有什么作用？高频开关电源（也称为开关型整流器SMR）是通过
2020-10-31 12:18
MOSFET和IGBT是当
2010-12-31 10:31
