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在功率电子系统中，MOSFET和IGBT是两种常见的开关器件，广泛应用于中低压功率系统。它们各有优缺点，适用于不同的应用场景。作为FAE，帮助客户理解这些器件的特性、差异和应用场景，能够有效提高系统

2025-07-07 10:23 MDD辰达半导体 企业号

由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。

2018-12-03 11:21

引言：EV和充电桩将成为IGBT和MOSFET最大单一产业链市场！EV中的电机控制系统、引擎控制系统、车身控制系统均需使用大量的半导体功率器件，它的普及为汽车功率半导体市场打开了增长的窗口。充电桩中

2024-02-19 12:28 向欣电子 企业号

和MOSFET器件的同时，没有出现基于SiC的类似器件。 SiC-MOSFET与IGBT有许多不同，但它们到底有什么区别呢？本文将针对与IGBT的区别进行介绍。

2017-12-21 09:07

由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但是前提耐压能力没有IGBT强。

2018-07-24 10:25

　选择导通阻抗非常低的mosFET作为开关器件，构成IGBT栅极功率输出电路，如图4，同时，采用多个栅极电阻切换的方式，实现不同条件下对IGBT性能的调整。在

2017-05-17 09:58

两个主要类型的功率晶体管：MOSFET和IGBT非常流行，它们在电源系统设计中已经使用了多年，因此，很容易假定它们之间的差异一直保持不变。本文通过解释最新一代MOSFET和IG