在PN结两端不外加电压时，P型半导体区大量可自由移动的空穴和N型半导体区内的大量电子将因为浓度差向对方区间扩散，扩散电流的方向为由P流向N，其幅值与负浓度差成正比，之后在PN结附近P型区将出现由无法自由移动的负离子组成的带负电的区域和N型区的正离子组成的带正电的区域，两个区域统称为空间电荷区，也称耗尽层。空间电荷区内将出现由N型区指向P型区的电场，称为内建电场。内建电场对自由电子和空穴作用力形成漂移运动，漂移电流方
2023-02-23 16:10
IGBT的内部结构及特点：本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。IGBT
2021-11-16 07:16
步进电机真实内部结构
2020-04-02 11:28
RCC器件的内部结构及应用
2019-03-26 07:11
L4990内部结构框图
2019-03-29 13:42
51单片机CPU的内部结构及工作原理1.51单片机CPU的内部结构2.工作原理1.51单片机CPU的内部结构单片机内部有一个8位的CPU，同时知道了CPU
2021-11-18 08:22
一、单片机内部结构分析我们来思考一个问题，当我们在编程器中把一条指令写进单片机内部，然后取下单片机，单片机就可以执行这条指令，那么这条指令一定保存在单片机的某个地方，并且这个地方在单片机掉...
2022-01-19 07:27
一、单片机内部结构分析我们来思考一个问题，当我们在编程器中把一条指令写进单片机内部，然后取下单片机，单片机就可以执行这条指令，那么这条指令一定保存在单片机的某个地方，并且这个地方在单片机掉电后依然
2021-12-10 07:54
51单片机的内部结构简介内部结构简介51单片机是指集成在一个芯片上的一个微型计算机，它的各种功能，包括CPU、存储器、基本输出/输入接口、定时器、中断系统 等。8051单片机是MC—51系列单片机中
2021-07-22 09:19
MOSFET和IGBT内部结构不同， 决定了其应用领域的不同。 1. 由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大
2018-06-05 10:00
