MOSFET和IGBT内部结构不同，决定了其应用领域的不同。
2023-11-03 14:53
这种延迟引起了类饱和 (Quasi-saturation) 效应，使集电极/发射极电压不能立即下降到其VCE(sat)值。这种效应也导致了在ZVS情况下，在负载电流从组合封装的反向并联二极管转换到 IGBT的集电极的瞬间，VCE电压会上升。
2017-11-28 09:19
在PN结两端不外加电压时，P型半导体区大量可自由移动的空穴和N型半导体区内的大量电子将因为浓度差向对方区间扩散，扩散电流的方向为由P流向N，其幅值与负浓度差成正比，之后在PN结附近P型区将出现由无法自由移动的负离子组成的带负电的区域和N型区的正离子组成的带正电的区域，两个区域统称为空间电荷区，也称耗尽层。空间电荷区内将出现由N型区指向P型区的电场，称为内建电场。内建电场对自由电子和空穴作用力形成漂移运动，漂移电流方
2023-02-23 16:10
MOSFET和IGBT内部结构不同， 决定了其应用领域的不同。 1. 由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大
2018-06-05 10:00
MOSFET和IGBT内部结构不同， 决定了其应用领域的不同。 1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大
2023-02-24 10:33
MOSFET 和 IGBT 内部结构不同， 决定了其应用领域的不同。 1.由于MOSFET的结构通常它可以做到 电流 很
2023-02-23 15:51
IGBT的内部结构及特点：本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。IGBT
2021-11-16 07:16
IGBT的工作原理和作用是什么？IGBT的内部结构是怎样组成的？IGBT的特点有哪些？
2021-10-15 06:01
为了更好了解IGBT，下面我们再来看看它的内部结构：一般，IGBT 有三个端子：集电极、发射极和栅极，他们都是附有金属层。但是，栅极端子上的金属材料具有二氧化硅层。IGBT
2023-02-22 15:58
R系列IGBT-IPM的内部结构电路
2010-02-18 21:59
