电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11
一种用于重掺杂n型接触的选择性刻蚀工艺实现了AlN/GaN HEMT的缩小 上图：原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆叠示意图 俄亥俄州立大学的工程师们宣称，他们已经打开了一扇大门，有望制备出
2025-06-12 15:44
报告内容包含： 微带WBG MMIC工艺 GaN HEMT 结构的生长 GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06
GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）作为一种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信、汽车电子等多个领域展现出了显著的优势，但同时也存在一些缺点。以下是对GaN HEMT优缺点的详细分析：
2024-08-15 11:09
GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种迅速崭露头角的高频功率器件，具有很高的电子迁移率、大的电子饱和漂移速度、高的饱和电子流动速度以及较低的电阻
2023-12-07 17:27
关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-
2023-02-14 09:18
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例总结 本文档基于GaN HEMT的实测特性描述了当前版本的模型。该模型专为与PSpice和LTspice配合使用而开发。本文档首先介绍该模型，然后提供将
2025-03-11 17:43
GaN HEMT（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，有望应用于大功率和高频电子设备。
2023-05-25 15:14
高速GaN E-HEMT的测量技巧总结 一、概述 重要性 ：GaN E-HEMT（氮化镓增强型高电子迁移率晶体管）具有极高的开关速度，因此准确的测量技术对评估其性能至关重要。 内容概览
2025-02-27 18:06
《涨知识啦19》---HEMT 的电流崩塌效应 在之前的《涨知识啦》章节中，小赛已经介绍了GaN材料中极化效应以及二维电子气（2DEG）的产生原理。因2DEG具有超高的沟道迁移率，所以2DGE可以
2020-09-21 16:35
