实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）
2007-09-30 20:59
2023-08-15 15:45
IGBT由P-MOSFET和GTR混合组成的电压控制型自关断器件。它将P-MOSFET和GTR的优点集于一身，既具有P-MOSF
2023-02-23 09:36
IGBT是由MOSFET和GTR技术结合而成的复合型开关器件，是通过在功率MOSFET的漏极上追加p+层而构成的，性能上也是结合了MOSFET和双极型功率晶体管的优点。
2023-06-13 16:23
。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO
2012-10-24 08:02
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56
绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT）是MOSFET与GTR的复合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好
2012-11-12 16:26
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-04 17:14
由于IGBT集MOSFET和GTR的优点于一体，具有开关速度快、热稳定性好、驱动电路简单、驱动电流小、通态压降小、耐压高及承受电流大等优点，因此在电机控制和开关电源，以及要求快速、低损耗的应用领域广泛使用。
2018-05-28 14:40
IGBT是绝缘栅双极型晶体管（IsolatedGateBipolarTransistor），它是八十年代初诞生，九十年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件。IGBT将MOSFET与GTR的优点集于一身，既有输入阻抗高、速度快
2012-11-06 15:55
