Intel 硅光子Intel®硅光子将硅集成电路和半导体激光两个重要发明结合在一起。与传统电子产品相比，它可以实现更远距离的数据传输。它利用了Intel®大批量硅制造的
2024-02-27 12:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
这款50W车载太阳能板，表面采用了超白钢化处理，透光率91%以上的钢化玻璃。单晶硅相较于多晶硅，转化率是比较高一些的在19~22%。玻璃材质的寿命也比较长一般在20年，具有良好的耐候性，耐腐蚀性，有
2022-05-04 08:42 深圳市迪晟能源技术有限公司 企业号
和11A的漏极电流能力，专为高电压、高功率应用设计。它采用SJ_Multi-EPI（多晶硅技术）制造，具有较低的导通电阻（RDS(ON)为370mΩ @ VGS=10
2025-08-27 11:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的15NM60ND-VB是一款单N沟道MOSFET，具有高电压和高电流承载能力，适用于要求较高的电源开关和控制应用。其采用了SJ_Multi-EPI技术，结合了多晶硅
2024-07-06 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号
极耐压能力和7A的漏极电流能力，适合在严苛的高电压环境中使用。其基于SJ_Multi-EPI（多晶硅技术）制造，具有较低的导通电阻（RDS(ON)为750mΩ @
2025-08-27 14:01 微碧半导体VBsemi 企业号
能力和7A的漏极电流承受能力，采用SJ_Multi-EPI（多晶硅技术）制造，提供可靠的开关性能。其导通电阻为770mΩ @ VGS=10V，适用于各种需要高电压
2025-08-27 14:43 微碧半导体VBsemi 企业号
多晶硅和环氧树脂封装，具有良好的导通性能和热稳定性，适用于各种环境条件下的长期使用。### 详细参数说明- **型号**: 15N40G-TA3-T-VB- **封
2024-07-06 16:39 微碧半导体VBsemi 企业号
（Vth），以及在VGS=10V时为370mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。该器件的漏极电流（ID）额定为11A，采用多晶硅多重外延（SJ_Multi-EPI）技
2024-07-06 15:01 微碧半导体VBsemi 企业号
的漏极-源极耐压能力和高达5A的漏极电流承载能力。其基于SJ_Multi-EPI（多晶硅技术）技术制造，具有稳定的性能和较高的开关效率。适用于需要高耐压和可靠性的
2025-08-27 10:44 微碧半导体VBsemi 企业号
工艺：玻璃层压太阳能板转化效率：18~19.4%多晶太阳能电池片的电压是0.5V，工作电压为10v功率为10W尺寸：340*240*25mm这款10w铝边框多晶玻璃太阳能电池板采用抗老化EVA、耐候
2022-05-05 09:14 深圳市迪晟能源技术有限公司 企业号
