MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载开关在哪里一个典型系统包括一个电源和
2022-11-17 08:05
分立电阻器与电容器（以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管（BJT）/第二个场效应晶体管）围绕的功率MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显
2018-09-03 15:17
时的损耗：阻性关断的损耗和上面过程相类似，二者相加，就是阻性开关过程中产生的总的开关损耗。功率MOSFET所接的负载、变换器输出
2016-12-16 16:53
关于负载开关ON时的浪涌电流关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施关于
2019-07-23 01:13
负载开关IC是一种集成了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的集成电路，能够实现对负载的快速、高效和安全的开关控
2024-09-29 16:42
器件MOSFET的导通电阻逐年下降，导通电阻小的可做到几mΩ。集成负载开关中的MOSFET导通电阻稍大，目前可做到几十mΩ左右。为了改善
2011-07-11 11:52
图1：电源开关的常见分立实施方案 与分立电路相比，集成式负载开关的优势是什么？ 如图1所示，典型的分立式解决方案包括一个P通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET
2022-11-18 07:38
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极
2022-11-16 08:00
可带20A负载的开关电源带由两个IRF540N的MOSFET管组成高频开关负载时，发现仅3A电流就把
2014-03-14 14:07
负载开关是节省空间的集成式电源开关。这些开关可用来“断开”耗电量大的子系统（当处于待机模式时），或用于负载点控制以方便电
2018-09-05 15:37
