• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
  • 全部板块
    • 全部板块
大家还在搜
  • 如何使用负载开关取代分立MOSFET

    MOSFET)。但在多数情况下,使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载开关在哪里一个典型系统包括一个电源和

    2022-11-17 08:05

  • 何时使用负载开关取代分立MOSFET

    分立电阻器与电容器(以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管(BJT)/第二个场效应晶体管)围绕的功率MOSFET)。但在多数情况下,使用全面集成的负载开关具有更显

    2018-09-03 15:17

  • 功率MOSFET的阻性负载开关特性

    时的损耗:阻性关断的损耗和上面过程相类似,二者相加,就是阻性开关过程中产生的总的开关损耗。功率MOSFET所接的负载、变换器输出

    2016-12-16 16:53

  • 负载开关ON时的浪涌电流

    关于负载开关ON时的浪涌电流关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施关于

    2019-07-23 01:13

  • 负载开关芯片-负载开关电路芯片

    负载开关IC是一种集成了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的集成电路,能够实现对负载的快速、高效和安全的开关

    2024-09-29 16:42

  • 负载开关的发展

    器件MOSFET的导通电阻逐年下降,导通电阻小的可做到几mΩ。集成负载开关中的MOSFET导通电阻稍大,目前可做到几十mΩ左右。为了改善

    2011-07-11 11:52

  • 负载开关介绍

    图1:电源开关的常见分立实施方案 与分立电路相比,集成式负载开关的优势是什么? 如图1所示,典型的分立式解决方案包括一个P通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET

    2022-11-18 07:38

  • 集成高侧MOSFET中的开关损耗分析

    图1:开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时,驱动器开始向集成MOSFET的栅极

    2022-11-16 08:00

  • 高频负载开关电源的影响

    可带20A负载开关电源带由两个IRF540N的MOSFET管组成高频开关负载时,发现仅3A电流就把

    2014-03-14 14:07

  • 负载开关你懂吗?

    负载开关是节省空间的集成式电源开关。这些开关可用来“断开”耗电量大的子系统(当处于待机模式时),或用于负载点控制以方便电

    2018-09-05 15:37