电子发烧友

我将分享关于MOSFET中几个关键温度参数的计算方法：TJ(结温)、TA(环境温度)和TC(外壳温度)。1.MOSFET温度参数的重要性在电力电子应

2024-08-30 11:51 上海雷卯电子 企业号

在上篇文章中，介绍了功率MOSFET的基本参数Rds（on）、VBR（DSS）、Qgs、和Vgs。为了更深入的理解功率MOSFET的其它一些参数，本文仍然选用英飞凌公司

2020-07-14 11:34

MOSFET数据手册常见参数解析——EASIGSS/Rds（on）/Coss

2023-06-19 09:53

ID: 最大漏源电流.是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过 ID .此参数会随结温度的上升而有所减额.

2023-12-01 13:27

最近，国内对MOSFET的需求大涨，导致业内缺货，很多厂商有钱买不到货，这是MOSFET厂商最愿意看到的。MOSFET需求增长源于物联网、3C产品、云端运算及服务器等的快速发展。

2018-09-15 11:46

的整体可靠性。然而，MOSFET并联设计并非简单的“多加几个”过程，必须考虑到均流、寄生参数与热平衡等诸多因素。本文将探讨如何在实际设计中有效应对这些挑战，优化并

2025-07-04 10:03 MDD辰达半导体 企业号

贴片元件焊接图解教程

2009-09-13 15:23