`国外MOSFET管子参数对照手册`
2012-10-10 10:32
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键
2023-06-16 06:04
，不过设计人员在根据这些参数比较不同的FET时要小心，这是因为测试条件决定一切，事情往往是如此！图1显示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的两个不同di/dt速率上测得的输出电荷
2022-11-18 08:05
来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。MOSFET的主要特性参数 “MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写
2016-05-23 11:40
第一部分 最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际
2019-11-15 07:00
本帖最后由 蓝剑威 于 2017-5-29 14:31 编辑 图解卷积积分图解卷积积分
2017-05-09 11:18
~~图解USB协议
2012-08-09 21:52
QuartusII安装教程图解。点击下载
2019-04-30 06:33
常用电源设计技巧图解资料来自网络
2019-06-19 20:06
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑 常用电源设计技巧图解。
2012-07-29 16:40
