变压器的有载调压就是可以实现不断电进行电压调节，本文首先介绍了有载调压变压器的调压原理及如何理解变压器有载调压的调压范围，其次阐述了有载调压变压器在哪一侧调压，最后介绍了有载调压变压器的作用是什么。
2018-05-08 11:22
双绕组变压器的分接头一般设在变压器的高压侧。这一设计选择主要基于以下几个原因： 一、电流与电压特性 电流大小 ：高压侧的
2024-09-29 17:05
下沉，这样在其内部形成P柱，和N区非常宽的接触面产生宽的耗尽层，也就是空间电荷区，空间电荷区形成的电场，也就是横向电场，保证器件的耐压；同时，原来N区漂移层就可以提高掺
2021-05-02 11:41
首先，沉积四乙基原硅酸盐氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驱的CVD氧化物，简称TEOS-ox）和氮化硅的复合层，并对TEOS-ox和氮化硅进行等离子体蚀刻，形成复合主侧墙。
2023-01-12 14:11
许多高效率电源在设计时可以使用有源钳位反激(ACF)变换器或LLC开关IC来实现其设计目标。在实际设计时，究竟应该选择哪一种呢？
2023-07-13 16:18
我们知道，MOS结构的CV曲线是跟频率相关的，高频和低频曲线长这样，但是用MOS管是测不出来高频曲线的，只能测出低频曲线，为什么呢，下面来简单盘一盘。
2023-12-16 16:32
icmp协议是IP层的附属协议，是介于IP层和TCP层之间的协议，一般认为属于IP层协议。IP协议用它来与其他主机或路由
2017-12-08 15:53
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p
2022-09-13 14:38
变压器的高压侧和低压侧是变压器的两个主要端口，它们在变压器上的位置以及所承担的功能各不相同。 一、高压侧 位置 ：高压侧
2024-08-15 18:16
与亚微米工艺类似，侧墙工艺是指形成环绕多晶硅的氧化介质层，从而保护LDD 结构，防止重掺杂的源漏离子注入到LDD结构的扩展区。侧墙是由两个主要工艺步骤
2024-11-09 10:02
