率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流IDM、雪崩电流
2016-08-15 14:31
原因反向电流的最常见原因，即反向偏置电压，就是输出上的电压要高于输入上的电压，从而使电流在系统中的流动方向与你希望的流动方向相反。图1中显示了这个情况。图1：
2022-11-17 07:35
电路保护方案需求的增长，其可针对反向连接、浪涌钳位以及反向电流保护进行防御。这些要求主要针对电压绝对值范围介于 12 至 48V 之间的正极 GND 与负极 GND 两种系统。那么，这些听起来让人害怕
2022-11-23 07:29
使用在反向电压模式下连接的电流输出DAC的电流源
2019-07-26 08:44
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
MOSFET 晶体管是可以电压驱动电流。常用的是N沟道MOSFET，P沟道的制作成本高。简单功率MOSFET电机控制器。这是一个典型的
2021-09-13 08:27
，电路中的可用电压为电源电压减去二极管压降。在工业和汽车应用中，大多数前端接口要求反向极性保护，而这一保护功能通常由二极管或MOSFET提供。由于它不需要电荷泵，p通道MOSFET一直用于高
2022-11-17 07:18
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是
2011-08-17 14:18
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32
FM7318A采用电流模式PWM 控制技术，具有逐周期峰值电流限制功能。由于缓冲二极管反向恢复电流和内部功率MOSFET栅极浪涌
2020-07-06 10:57
