转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32
`<div> 揭秘肖特基二极管的反向恢复时间 肖特基二极管和一般二极管的差异在于反向恢复时间，也就是肖特基二极管由流过正向电流的导通状态，切换到不导通状态所需的时间
2018-11-02 11:54
的参数，除了二极管Trr参数外，还可以分析If、Ir、Ta、Tb、Qrr。三 DI-1000-IV参数反向恢复电流≥100A峰值，取决于二极管反向电压10-1000V步进0.1V正向电流0-30A步进
2023-01-15 09:31
二极管的反向恢复时间trr一般为几百纳秒，正向压降为0．6～0．7V，正向电流几安培至几千安培，反向峰值电压可可几百至几千伏。 超快恢复二极管则是在快
2021-05-14 08:11
另一方面，诸如FET固有体二极管的输出电荷 (QOSS) 和反向恢复电荷(Qrr) 等开关参数是造成很多高频电源应用中大部分FET开关损耗的关键因素。不好意思，我说的这些听起来有点儿前言不搭后语
2022-11-18 08:05
二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较...
2021-09-09 06:52
试题，学员可通过高压电工模拟考试题库全真模拟，进行高压电工自测。1、【单选题】 配电装置中,电气设备的网状遮栏高度不低于()m,底部离地不应超过0.1m。（B）A、1.3B、1.7C、1.52、【单选题】 电路中负荷为()时,触头间恢复电压等于电源电压,有利于电弧熄灭。（C...
2021-09-02 06:52
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，功率MOSFET
2016-11-08 17:14
三种方法可以保存和恢复电源门控模块的内部信息：• 基于软件读写寄存器的方法；• 基于扫描的方法，使用扫描链将状态信息存储在芯片外；• 使用保持寄存器；使用软件读...
2022-01-03 06:43
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZV
2023-09-08 06:00
