以AC/DC Boost开关电源为例，如图1所示，主电路中输人整流桥二极管产生的反向恢复电流的di/dt远比输出二极管D反向恢复电流的|di/dt|要小得多。图2是图1开关电源中输人整流桥二极管
2021-06-30 16:37
-> 20mV = 4A。在图5中，针对TPS40170/硅MOSFET的高亮反向恢复电荷用红色显示（使用的是CSD185363A）。峰值恢复电流为18A左右 (90mV)，据我估算，对于24V*300KHz
2018-09-03 15:17
的电荷，这些电荷必须在二极管能够阻断反向电压前重新组合。这个重新组合是温度、正向电流、Ifwd、电流的di/dt，以及其它因数的函数。图2：反向恢复电流波形
2018-09-03 15:17
快恢复二极管反向恢复时间（tr）的定义：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快恢复二极管里，IF为正向
2021-05-14 14:12
调节、恢复电流斜率调节、示波器信号端、示波器同步信号端。图1 DI-200外观介绍图四：DI-200测试仪参数类型数值单 位备注 反向恢复电流100A峰值 反向电压10至300V分档 正向
2015-03-05 09:30
Q2的P-N结增加储存电荷。在t4~t5时段，MOSFET Q1通道导通，流过非常大的直通电流，该电流由MOSFET Q2体二极管的
2019-09-17 09:05
及整流器件性能的重要技术指标。图中IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流，Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t&g
2019-12-03 10:16
反向恢复电流、电压波形(b)实测1n4005反向恢复电流、电压波形(c)不同If0的反向过渡过程电流波形(d)不同If0的反向
2023-02-14 15:46
：EMI/RFI屏蔽密封 H：具有同步触发功能二：应用范围A：超高速二极管B：肖特基二极管C：射频二极管三：测量原理图1 测量原理图四：参数类型数值单位备注 反向恢复电流Reverse
2015-03-11 13:56
测量电路如下图。由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。当IRM为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短
2019-10-11 13:08
