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  • 二极管的反向恢复

    反向恢复过程:     通常把二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程称为反向恢复过程 。由于反向恢复时间的存在,使二极管的开关速度受到限制。     试想一下,如

    2022-12-10 17:06

  • SiC-SBD与Si-PND的反向恢复特性比较

    面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数,所以不仅要比较trr的数值,还要理解其波形和温度特性,这样有助于有效使用二极管。

    2023-02-22 09:17

  • 高效率二极管在相同负载下,出现不同反向恢复时间的原因

    高效率二极管在电力电子和开关电源中扮演着关键角色,它们通过提供快速的开关速度和低导通压降,显著提升电源系统的效率。在相同负载条件下,不同二极管反向恢复时间的表现可能会有所不同,影响开关频率、系统效率

    2024-12-23 11:11 MDD辰达半导体 企业号

  • 高频应用下的整流桥挑战:MDDEMI优化与反向恢复时间控制方案

    在高频电源转换应用(如开关电源、逆变器、电机驱动)中,MDD整流桥的选型和设计直接影响系统效率和电磁兼容性(EMC)。高频下的主要挑战包括EMI(电磁干扰)控制和反向恢复时间(trr)优化,如果处理

    2025-03-12 10:00 MDD辰达半导体 企业号

  • 恢复二极管反向恢复时间及参数介绍

    恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普

    2018-01-24 10:09

  • 如何解决硅二极管反向恢复电流的问题

    将宽禁带半导体器件SiC肖特基二极管引入到直流开关电源的PFC电路中,可以在不改变电路拓扑和工作方式的情况下,有效解决硅二极管反向恢复电流给电路带来的许多问题,极大地改善电路的工作品质。

    2020-10-02 16:11

  • 如何理解二极管的反向恢复过程

    设VD为二极管正向压降(硅管为0.7V左右),当VF远大于VD时,VD可略去不计,则在t1时,V1突然从+VF变为-VR。在理想情况下 ,二极管将立刻转为截止,电路中应只有很小的反向电流。

    2021-02-10 17:45

  • 测试恢复二极管性能的原理图

    在确保快恢复二极管是真管的前提下,反向恢复时间是能衡量快恢复二极管重要参数,在一定的耐压和电流下,反向恢复时间是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。

    2020-10-02 17:50

  • MDD整流二极管的开关特性:正向导通与反向恢复的关键参数

    导通特性和反向恢复特性,分别决定了二极管的导通损耗和关断速度。本文将深入分析这两个关键特性,并探讨其在应用中的影响和优化策略。1.正向导通特性当整流二极管在正向偏置下工

    2025-03-19 09:55 MDD辰达半导体 企业号

  • 影响快恢复二极管选型的参数有哪些

    选用快恢复二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。

    2020-10-02 17:53