转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32
`<div> 揭秘肖特基二极管的反向恢复时间 肖特基二极管和一般二极管的差异在于反向恢复时间，也就是肖特基二极管由流过正向电流的导通状态，切换到不导通状态所需的时间
2018-11-02 11:54
支持大功率、小功率快恢复二极管FRD和肖特基二极管的TRR反向恢复时间测试,且支持MOSFET/IGBT的寄生二极管/内建二极管。该系统设备可以实时观察
2023-01-15 09:31
另一方面，诸如FET固有体二极管的输出电荷 (QOSS) 和反向恢复电荷(Qrr) 等开关参数是造成很多高频电源应用中大部分FET开关损耗的关键因素。不好意思，我说的这些听起来有点儿前言不搭后语
2022-11-18 08:05
快恢复二极管是在P型、N型硅材料中增加了基区I，构成P—I—N硅片结构。由于基区很薄，反向恢复电荷很少，不仅大大减小了反向的恢复时间，还降低了瞬态正向电压，使管子能够承
2021-05-14 08:11
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复
2021-09-09 06:52
栅电荷，反向恢复时间，开关时间测试方法，LX9600
2014-03-27 10:51
快恢复二极管工作原理及特点作用快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流
2021-11-12 06:34
得到更低栅极开关驱动损耗（图1）.碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。如图所示，同一额定电流900V的器件，碳化硅MOSFET
2016-08-05 14:32
快速恢复二极管的特点就是它的恢复时间很短，这一特点使其适合高频（如电视机中的行频、开关电源输出）整流。快速恢复二极管有一个决定其性能的重要参数——反向恢复时间。
2021-05-24 06:24
