已经上传了驱动部分的原理图，我刚进一个做MOS的公司，有个客户是这样的，他说我们的管子温度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比较大，反向恢复损耗比较高，有什么办法可以降低吗，让MOS的温度的降下来
2019-09-11 04:23
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅F
2018-09-03 15:17
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅F
2022-11-17 06:32
-> 20mV = 4A。在图5中，针对TPS40170/硅MOSFET的高亮反向恢复电荷用红色显示（使用的是CSD185363A）。峰值恢复电流为18A左右 (90mV)，据我估算，对于24V*300KHz
2018-09-03 15:17
什么是反向恢复过程？二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28
以AC/DC Boost开关电源为例，如图1所示，主电路中输人整流桥二极管产生的反向恢复电流的di/dt远比输出二极管D反向恢复电流的|di/dt|要小得多。图2是图1开关电源中输人整流桥二极管
2021-06-30 16:37
快恢复二极管反向恢复时间（tr）的定义：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快恢复二极管里，IF为正向电流，IRM为最大
2021-05-14 14:12
SiC-SBD与Si-PND（FRD）相比，trr高速且反向恢复电流也显著减少，因此损耗也小。・SiC-SBD的反向恢复特性（trr和反向恢复电流）基本上没有温度依赖性
2018-11-29 14:34
或者说过程，我们称之为反向恢复过程。只要是双极型器件，就会有非平衡载流子的注入，那么就存在所谓的反向恢复过程。这种特性严重限制了器件在高频需求下的性能，我们要做的就是研究并减小反向恢复这个过程的时间。(a
2023-02-14 15:46
过程都会造成二极管的过电压，二极管两端的电压由公式2决定： ③ 反向恢复损耗的概念可能大家都比较清楚了，二极管的反向恢复电流乘以反向电压就是二极管的瞬时功率，在
2020-12-08 15:44
