实验名称：基于纵向导波的杆状构件腐蚀诊断方法 研究方向：无损探伤 测试设备：信号号发生器、安泰ATA-8202功率放大器、数据采集卡、直流电源、超声探头、钢杆、前置放大器。 实验过程：图
2024-07-18 17:03 Aigtek安泰电子 企业号
实验名称：功率放大器在单信号激励的弯弯复合超声电机的正反向运动实验中的应用研究方向：超声电机测试目的：验证基于8字形振动轨迹的超声电机的工作原理的可行性测试设备：函数信号发生器，ATA-4051
2022-11-29 10:00 Aigtek安泰电子 企业号
BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
光电探测器光电测试 光电探测器一般需要先对晶圆进行测试，封装后再对器件进行二次测试，完成最终的特性分析和分拣操作，光电探测器在工作时，需要施加反向
2024-09-12 13:37 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右，一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT，劣势是器件多，硬件设计复杂，效率低，失效率
2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
