肖特基二极管MUR3040PT的反向击穿电压和正向压降测试记录 测试器件MUR3040PT(ON)测试项目1.二极管反向击穿电压2.二极管正向压降 测试方法1.测试二极管反向击穿电压用20KV高精度
2015-08-14 09:53
低压MOS管体二极管反向击穿电压
2020-01-15 17:12
与GND直流阻抗为（正反向）19.58R 请问ADI的技术人员提供一个分析的方向；或者：当VIN_H骤降时，是否会有一个径反向的电流流过Q5，导致Q5内部的寄生二极管因为瞬间大电流而导致热击穿？ 2、是什么原因导
2024-01-05 07:30
品为正向4MΩ，反向无穷大。问题：1、请问这是不是被反向击穿了？2、我有万用表的测量方法有问题吗？3、如果是击穿了的话，为什么我用万用表其他电阻档测量正
2016-03-22 16:51
率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。在电压没有达到反向击穿电压时，二极管的电流一直等于方向饱和电流。但是当
2022-01-25 10:33
请问图中的D1 D2 起到什么作用，像控制继电器一样保护mos不被反向击穿吗？
2016-12-14 12:46
您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片内部使用的 MOSFET 的 IV 特性，该 MOSFET 开关用于数据输出链中的反向散射。有人可以提供这些数据吗？非常感谢~
2023-03-31 07:53
要选择一个大概工作400hz,24电源的mosfet要怎么选择型号
2018-12-04 10:10
肖特基二极管，那么功率损耗大约为3.5W。除了功率耗散，电路中的可用电压为电源电压减去二极管压降。在工业和汽车应用中，大多数前端接口要求反向极性保护，而这一保护功能通常由二极管或MOSFET提供。由于
2018-09-04 14:59
器件参数：所选择的TVS管为5KP54A国产，其反向工作电压为54V，击穿电压为63V，反向峰值电流为57.1A(10uS/1000uS)，钳位电压值为87V,tw = 1ms;工作条件：误加72V,12mS电压，t
2017-05-31 21:30
