偏置电压来拉开光注入产生的电子空穴对，从而完成光生载流子过程,因此光电探测器通常在反向状态工作；测试时比较关注暗电流、反向击穿电压、结电容、响应度、串扰等参数。&
2024-09-12 13:37 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
实验名称：功率放大器在单信号激励的弯弯复合超声电机的正反向运动实验中的应用研究方向：超声电机测试目的：验证基于8字形振动轨迹的超声电机的工作原理的可行性测试设备：函数信号发生器，ATA-4051
2022-11-29 10:00 Aigtek安泰电子 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
的过压箝位到电压限值。这是通PN结的低阻抗雪崩击穿实现的。当产生大于TVS的击穿电压的瞬变电压时， TVS会将瞬变箝位到小于保护器件的击穿电压的预定水平
2022-06-21 14:41 常州鼎先电子有限公司 企业号
